TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TPH2900ENH,L1Q |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.58 |
10+ | $2.321 |
100+ | $1.8652 |
500+ | $1.5325 |
1000+ | $1.2698 |
2000+ | $1.1822 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 16.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 78W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 33A (Ta) |
Grundproduktnummer | TPH2900 |
TPH2900ENH,L1Q Einzelheiten PDF [English] | TPH2900ENH,L1Q PDF - EN.pdf |
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TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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